申请号:200580051047.X 名称:用于TFT铜栅工艺的无电镀NiWP粘附层和覆盖层
公开(公告)号:CN101278074
公开(公告)日:2008.10.01
主分类号:C23C18/50(2006.01)I
申请(专利权)人:乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司;财团法人工业技术研究院
地址:法国巴黎
专利代理机构:北京市中咨律师事务所
代理人:隗永良;林柏楠
摘要
本发明涉及用于TFT铜栅工艺的无电镀NiWP层。该NiWP层的沉积过程包括以下步骤:(a)使用例如紫外光、臭氧溶液和/或碱性混合物溶液清洗基底表面,(b)使用例如稀酸微刻蚀基底表面,(c)使用例如SnCl2和PdCl2溶液催化基底表面,(d)使用还原剂溶液调理基底表面,和(e)沉积NiWP。已发现在一定条件下沉积的NiWP层能够提供对玻璃基底和对Cu层的良好粘附性并具有良好的铜阻挡性能。NiWP层可用于TFT铜栅工艺(例如平板显示器面板的)的粘附、覆盖和/或阻挡层。
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