化学气相沉积技术
化学气相沉积是沉铜工艺方法之－，它是将气相中的一种组份或多种组份聚积于基体上，并在基体上发生反应，产生固相沉积层。而化学气相沉积属于原子沉积类，其基本原理是沉积物以原子、离子、分子等原子尺度的形态在材料表面沉积，形成外加覆盖层，如果覆盖层是通过化学反应形成的，则称为化学气相沉积（CVD），其过程包括三个阶段即：物料气化、运到基材附近的空间和在基体上形成覆盖层。该技术发展很快，它所得以迅速发展，是和它的本身的特点分不开的，其特点是：沉积物众多，它可以沉积金属；能均匀涂覆几何形状复杂的零件，这是它具有高度的分散性；涂层与基体结合牢固；设备简单操作方便。采用CVD新技术的目的在于解决高纵横比小孔电镀问题，提高生产效率和镀层的均匀性和物化性能及使用寿命。最常用CVD的新技术有脉冲CVD法、超声波CVD等。
化学气相法沉积技术的应用，还必须做大量的工艺试验，使该项新技术，能在解决高纵横比深孔或积层式的深盲孔电镀上起到应有的作用。 |
