|
专利号(申请号)：200710166393.3 公开（公告）号：CN101235524 公开( 公告)日：2008-08-06 申请日：2007-11-07 申请（专利权）人：恩伊凯慕凯特股份有限公司 页 数：16 摘要： 本发明涉及由作为半导体芯片的电极的金凹凸或者金布线形成用的非氰系电解金电镀浴液。该电镀浴液可以消除因为钝化膜的断坡产生的表面凹凸，形成在向半导体芯片的基板上实装时可以达到足够的接合强度的金电镀被膜。本发明的金凹凸或者金布线形成用的非氰系电解金电镀浴液，含有以下成分：亚硫酸金碱盐或者亚硫酸金铵作为金量为1～20g/L，水溶性胺为1～30g/L，T1化合物、Pb化合物或者As化合物作为金属浓度为0.1～100mg/L，亚硫酸盐作为SO32-的量为5～100g/L，硫酸盐作为SO42-的量为1～120g/L，缓冲剂为0.1～30g/L，从钯盐、铂盐、锌盐以及银盐中任选一种以上的作为金属浓度为0.1～100mg/L。 |
