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关 键 词：二维正弦调制靶,平面调制靶,电镀,图形转移工艺,惯性约束聚变 作 者：孙骐 周斌 等 概 述： 根据惯性约束聚变分解实验的要求，通过激光干涉法在光刻胶表面制备正弦起伏图形，结合电镀图形转移工艺，获得了波长20－100μm、振幅0．2－3．5μm的一系列Ni基图形转移模板，并进一步将正弦起伏图形转移到聚苯乙烯薄膜表面，制备出聚苯乙烯二维调制箔靶。研究了图形的精确转移工艺，特别是深振幅样品的脱模工艺，对工艺参数的优化进行了讨论。采用台阶仪和原子力显微镜监控图形转移过程，比较了光刻胶表面图形和一次、二次电镀转移图形以及转移到聚苯乙烯薄膜上图形的形貌，测定了图形转移过程中的深度变化。 注：本站部分资料需要安装PDF阅读器才能查看，如果你不能浏览文章全文，请检查你是否已安装PDF阅读器！ |
