铜钝化化学机械抛光组合物和方法

　　公开日 2010.10.27

　　申请人 卡伯特微电子公司

　　地址 美国伊利诺伊州

　　本发明提供用于抛光含铜基材的化学机械抛光(CMP)方法和组合物。本发明的方法涉及用本发明的CMP组合物研磨含铜基材的表面，优选该研磨在氧化剂(例如，过氧化氢)的存在下进行。本发明的CMP组合物包含粒状研磨剂、铜配位剂、铜钝化剂和含水载体，所述铜钝化剂带有酸性OH基团和另外的与所述酸性OH基团呈1、6关系的氧取代基。本发明的优选组合物包含质量分数为0.01% ~ 1.00%粒状研磨剂、0.1% ~ 1.0%铜配位剂、(10 ~ 1 000) × 10−6的铜钝化剂。