一种电沉积碘化银半导体薄膜的电化学制备方法

　　公开日 2010.10.27

　　申请人 浙江大学

　　地址 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

　　本发明公开了一种电沉积碘化银半导体薄膜的电化学制备方法。包括如下步骤：(1)用丙酮冲洗ITO导电玻璃或硅片2 ~ 3次，再用去离子水将ITO导电玻璃或硅片放在超声波清洗器里清洗，接着将ITO导电玻璃或硅片放在10%的硝酸溶液中活化，最后用去离子水反复冲洗;(2)将0.002 ~ 2.000 mol/L的AgNO3、0.002 ~ 2.000 mol/L的KI、0.002 ~ 2.000 mol/L的乙二胺四乙酸二钠混合，用2 mol/L的HNO3或0.1 mol/L的NaOH溶液调节pH至7 ~ 13，得到电解液;(3)ITO导电玻璃或硅片作工作电极，铂片电极作对电极，饱和甘汞电极作参比电极，电沉积得到碘化银半导体薄膜，相对饱和甘汞电极的电沉积电压为1.1 ~ 2.5 V，电沉积温度25 ~ 80 °C。本发明通过电沉积一步合成具有一定取向和晶形的碘化银，并且设备简单、成本低廉，反应条件要求较低。