公开号 101768736
公开日 2010.07.07 申请人 成都理工大学 地址 四川省成都市成华区二仙桥东三路1号 一种可用于电磁波屏蔽、吸波、隐身与抗静电等特殊领域的导电矿物晶须材料的制备──硅酸钙镁矿物晶须表面化学镀镍铜配方及工艺。硅酸钙镁矿物晶须表面化学镀镍铜前的预处理工艺主要包括除油、粗化、敏化、活化等。化学镀镍铜工艺和配方主要包括20 ~ 50 g/L硫酸镍,1 ~ 10 g/L硫酸铜,20 ~ 40 g/L次磷酸钠和40 ~ 80 g/L柠檬酸钠,pH 7.5 ~ 11.0,施镀温度70 ~ 90 °C,施镀时间0.5 ~ 5.0 h,烘干温度为80 ~ 100 °C。本发明简单、方便、易于操作和控制,制备出的镀镍铜硅酸钙镁导电矿物晶须技术参数令人满意,可广泛用于非金属粉体表面化学镀镍铜。 |