| 公开日 20090101
发明人 NASU A, CHEN S-F, CHEN Y-T, LIN T-A, HSIUNG C-S 地址 Air Liquide Intellectual Property, 2700 Post Oak Boulevard, Suite 1800, Houston, TX 77056, US 化学镀镍钨磷层用于薄膜晶体管(TFT)铜栅制程。镍钨磷沉积工艺包括如下步骤：(1)采用紫外光、臭氧溶液及/或混碱溶液清洁基体表面;(2)采用稀酸对基体表面进行微刻蚀;(3)采用SnCl2和PdCl2溶液催化基体表面;(4)采用还原剂溶液对基体表面进行表调;(5)沉积镍钨磷。在特定条件下沉积的镍钨磷层对玻璃基材和铜层都有良好附着，具有很好的铜阻挡性能。镍钨磷层可用于薄膜晶体管铜栅制程(如平板显示器面板)的胶粘层、保护层和/或阻挡层 |
