开号 101663753
公开日 20100303 申请人 国际商业机器公司 地址 美国纽约 由这样的方法制成铑接触结构,该方法包括:获得其上具有介电层的衬底,其中所述介电层具有凹槽,所述铑接触将沉积在所述凹槽中;在所述凹槽中和所述介电层上沉积籽晶层;以及通过包括铑盐、酸和应力减轻剂的浴液进行电镀而沉积铑;然后可选地对该结构进行退火。 |
开号 101663753
公开日 20100303 申请人 国际商业机器公司 地址 美国纽约 由这样的方法制成铑接触结构,该方法包括:获得其上具有介电层的衬底,其中所述介电层具有凹槽,所述铑接触将沉积在所述凹槽中;在所述凹槽中和所述介电层上沉积籽晶层;以及通过包括铑盐、酸和应力减轻剂的浴液进行电镀而沉积铑;然后可选地对该结构进行退火。 |