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电镀半导体晶片的设备及方法

放大字体  缩小字体发布日期:2012-08-08  浏览次数:1194
核心提示:提供了一种用于电镀晶片表面的电镀设备。能够给晶片电气充电作为阴极。电镀设备包括电镀头,该电镀头能够位于晶片表面的上方或下面且能够被电气充电作为阳极。当晶片和电镀头被充电时,该电镀头能够在晶片的表面和电镀头之间进行金属电镀。

专利类型:发明

专利号:200510080996

专利申请日:2005/06/30

公开(公告)号:

公开(公告)日:2006/02/01

分类号:H01L 21/3205;C25D 3/00;C25D 3/38;C25D 7/12;C25D 5/00

申请(专利权)人:兰姆研究有限公司

发明(设计)人:Y.N.多尔迪;F.C.雷德克;J.M.博伊德;R.马拉彻欣;C.伍兹

申请人:兰姆研究有限公司

国别省市:US[美国]

提供了一种用于电镀晶片表面的电镀设备。能够给晶片电气充电作为阴极。电镀设备包括电镀头,该电镀头能够位于晶片表面的上方或下面且能够被电气充电作为阳极。当晶片和电镀头被充电时,该电镀头能够在晶片的表面和电镀头之间进行金属电镀。该电镀头进一步包括:电压传感器对,其能够读取存在于电镀头和晶片的表面之间的电压,以及控制器,其能够接收来自电压传感器对的数据。当电镀头放置在晶片表面上方的位置时,控制器使用来自电压传感器对的数据来保持由阳极施加的基本恒定的电压。还提供了一种晶片的电镀方法。

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