对绝缘材料若采用直流二极溅射，正离子轰击靶电荷不能带走，造成正电荷积累，靶面正电位不断上升，最后导致正离子不能到达靶面进行溅射。
图9-10四极溅射原理图 1～聚柬线圈2一靶阴极卜等离子体4一基板5一电子收集极6一收集极电源7一灯丝(热阴极)8--稳定电极卜9-灯丝电源
射频溅射是在两极间施加频率为l3.56MHz的电压，利用电子在被阳极收集之前能在阳、阴极之间的空间来回振荡，有更多机会与气体分子产生碰撞电离，使射频溅射可在低气压(1～lOPa)下进行。在射频电场作用下，在电压的正半周时在靶材和基片之间的射频等离子体中的电子中和靶材周围的正电荷;而在负半周时，靶材受到离子的加速轰击，溅射出来的原子或分子在工件上沉积成膜。另一方面，当靶电极通过电容耦合加上射频电压后，靶上便形成负偏压，使溅射速率提高，并能沉积绝缘体薄膜。图9-11为射频溅射装置的结构示意图。 射频溅射可沉积导体、半导体和绝缘体，沉积速率快，膜层致密，空隙少，纯度高，膜的附着力好。
图9．11射频溅射装置的结构简图
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