图9-13为对向靶溅射的原理图。两个靶对向放置，在垂直于靶表面方向加上电磁场且磁场强度可以调节。磁场会使高能电子局限在对靶的空间中，电子的局域化使气体离化加强，导致较高的溅射沉积率;而基片和靶所处的位置几乎使电子轰击基片的可能性很小，基片的温度也不会过分升高。这就解决了一般磁控溅射系统由于磁场平行靶面，在沉积磁性材料时，易形成磁力线在靶体内短路，失去磁控作用，无法获得高速低温溅射的问题。 对向靶溅射具有溅射速率高、基片温度低的特点，特别适用于磁性薄膜，如坡莫合金膜、C0-Cr膜、YBC0薄膜等的沉积。   图9．13对靶磁控溅射系统示意图a)对向靶位形b)溅射系统c)复合靶1、6一靶2、7、l4一基片3一铁柱4一接地S一励磁线圈＆一接真空 9一直流高压源 l0一入气口 ll—Ni盘 12一Fe盘 13一M0片 |
