直流二极型离子镀的原理如图9-17所示。它是利用基片和蒸发源两电极之间的辉光放电产生离子，并在基片上施加1～5kV负偏压，使离子加速撞向基片表面沉积成膜。  图9．17离子镀原理图 1一接负高压2一接地屏蔽3一基板4一等离子体5一挡板6一蒸发源7一氩气阀8一真空系统 由于辉光放电的气压较高(约1.33Pa)，对蒸镀熔点在1400℃以下的金属，如Au、Ag、Cu等多采用电阻加热蒸发源。如用电子束蒸发源，须利用压差板将电子枪室与离子镀膜层分开，并采用两套真空系统，以保证电子枪工作所需的高真空条件。总之，直流二极型离子镀设备简单，可用普通真空镀膜机改装，镀膜工艺容易实现。 离子镀时，在工件表面沉积成膜的离子或原子的能量较高(102～103eV)，同时氩离子不断地轰击工件和膜层表面，清除了结合不牢的 原子和吸附于表面的残余气体分子，从而显著地提高膜层的致密度和膜基结合力。但是，也正因为轰击粒子能量高，对形成的膜层有溅射剥离作用，并引起基片的温升。另外，较低的真空度易造成膜层污染。 |
