图9-18为三极型离子镀结构示意图，它是针对二极型离子镀在低气压下难以激发和维持辉光放电的问题，在蒸发源与基体之间加入了热电子发射极(通常为钨丝)和收集电子的正极，使得热发射的电子横越时，与蒸发的粒子流发生碰撞产生电离，以此来提高离化率。  图9-18三极型离子镀 1一阳极2一进气口3一蒸发源4一电子吸收极5一基板6一电子发射极 7一直流电源8一真空室9一蒸发电源10一真空系统 DC二极型离子镀的离化率只有百分之零点几到～2%，而三极型的热电子发射可达10A，收集极电压为200v以下，与DC二极型相比，离化率显著提高，基体电流密度可提高10～20倍。 三极型离子镀也称为热电子增强型离子镀，实际上属于弧光放电产生等离子体。其特点是：①依靠热阴极灯丝电流和阳极电压的变化，可以独立控制放电条件，从而可有效地控制膜层的晶体结构、硬度等性能;②主阴极(基片)所加维持辉光放电的电压较低，减少了能量过高的离子对基片的轰击作用，使基片温升得到控制;③工作气压可在0.133Pa，低于二极型离子镀，镀层光泽而致密。 |
