公开号 102071420 公开日 2011.05.25 申请人 武汉大学 地址 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学 本发明公开了一种钛种植体表面制备碳酸钙涂层的方法,依次包括以下步骤:用金刚砂喷蚀钛种植体表面;用盐酸和硫酸的混合液酸蚀钛种植体;清洁钛种植体;在封闭容器中,放入CaCl2溶液,将清洁过的钛种植体悬吊于CaCl2溶液中,向封闭容器的空间引入CO2气体,反应3 ~ 5 h后将钛种植体取出,用去离子水清洗,干燥除水。本发明方法在常温下,用简单的实验器材即可完成制备。所制得碳酸钙的高降解性保证了其在初期发挥作用后即被人体吸收,不会出现排斥反应。 |