铝合金微弧氧化过程较为复杂，不同的研究表明，微弧氧化包含以下过程：空气电荷在氧化膜基体中形成；在陶瓷膜表面微孔中气体放电，产生等离子体；膜层材料的局部熔化；热扩散：胶体微粒沉积；带负电的胶体微粒迁移进入放电通道；等离子体化学与热化学反应等[1]。微弧氧化的本质是陶瓷膜的瞬间电击穿过程，其理论支撑是目前仍需完善的电击穿理论[34]。电击穿理论经历了离子电流机理、热作用机理和机械作用机理等阶段，现在发展到电子雪崩机理。电子雪崩理论包括Ikonopisov模型、连续雪崩模型和杂质中心放电模型3种。Ikonopisov模型[35]是最早解释微弧放电机理的定量模型，引入了陶瓷膜击穿电位％的概念，并建立了VB与溶液参数之间的关系：杂质中心放电模型[36]既包含Ikonopisov模型的静态定量关系，又体现了连续雪崩机理的动态波动效应，但只适用于有杂质渗入的情形。迄今为止，没有一种理论模型能够全面且合理地解释所有实验现象；因此，微弧氧化机理仍需做深入的探索和研究。
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