| 公开号 102011158 公开日 2011.04.13 申请人 大连理工大学 地址 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号 本发明涉及一种在电镀基片上制备Au–Sn合金的共沉积电镀工艺及一种无氰Au–Sn合金电镀液。电镀电流脉冲的波形为正向变幅脉冲，即在单个周期内有2个不同的正向方波脉冲，其峰值和导通时间分别对应镀层中生成Au5Sn、AuSn合金相所需的峰值电流密度和时间，电镀液的金属离子配位剂采用亚硫酸钠为主配位剂剂、乙二胺四乙酸为辅助配位剂，锡离子配位剂为焦磷酸钾，抗氧化剂为邻苯二酚，pH为8 ~ 9。本发明在电镀制备含Au原子分数为30%的Au–Sn共晶镀层时镀速达13 μm/h，镀液稳定，操作简单，镀层金、锡含量易控制，可应用于微电子和光电子工业中，如发光二极管芯片的连接与封装、倒装芯片连接、在半导体器件或类似器件的表面形成焊盘或图案等。 |
