电沉积组合物和使用所述组合物涂覆半导体衬底的方法

公开号 102016129

公开日 2011.04.13

申请人 埃其玛公司

地址 法国梅西

本发明涉及电沉积组合物，该组合物特别用于涂覆半导体衬底以制造用于生产集成电路中的互连线的“通孔”型结构。根据本发明，所述溶液包括乙二胺和浓度为14 ~ 120 mmol/L的铜离子，乙二胺和铜的摩尔比为1.80 ~ 2.03，且电沉积溶液的pH为6.6 ~ 7.5。本发明还涉及所述电沉积溶液用于沉积铜种子层的用途，以及借助于本发明的电沉积溶液沉积铜种子层的方法。