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电沉积磷酸银光催化半导体薄膜的电化学制备方法

放大字体  缩小字体发布日期:2012-09-13  浏览次数:1330
核心提示:本发明公开了一种电沉积磷酸银光催化半导体薄膜的电化学制备方法。
 

公开号 102134733

公开日 2011.07.27

申请人 浙江大学

地址 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

本发明公开了一种电沉积磷酸银光催化半导体薄膜的电化学制备方法。步骤如下:用丙酮冲洗ITO导电玻璃或硅片,再用去离子水将ITO导电玻璃或硅片放在超声波清洗器里清洗,接着将ITO导电玻璃或硅片放在10%的硝酸溶液中活化,最后用去离子水反复冲洗;将0.002 ~ 2.000 mol/L的硝酸银溶于蒸馏水,加入0.1 ~ 2.0 mol/L的氨水溶液,加入0.002 ~ 2.000 mol/L的磷酸钠,充分搅拌,用2 mol/L的硝酸溶液和1 mol/L的氨水溶液调节溶液pH至7 ~ 13,最后得到澄清稳定的电解液;以ITO导电玻璃或硅片为工作电极,铂片电极为对电极,饱和甘汞电极为参比电极一起放入电解液中进行电沉积,得到磷酸银光催化半导体薄膜。本发明具有工艺简单、成本低廉、反应条件温和以及制备效率高等优点。

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