| 申请(专利)号：200510085126.4 申请日：2005.07.20 名称：电化学电镀半导体晶圆的方法及其电镀装置 公开(公告)号：CN1812058 公开(公告)日：2006.08.02 主分类号：H01L21/3205(2006.01)I分案原申请号： 分类号：H01L21/3205(2006.01)I;C25D3/02(2006.01)I 颁证日：优先权：2005.1.25US11/043,601 申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司 地址：台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号 发明(设计)人：张中良;眭晓林 专利代理机构：北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人：寿宁;张华辉 摘要 本发明是有关于一种在半导体晶圆上电镀导电材质的方法，当晶圆浸泡在电镀液时，藉由减小电镀制程的电流值，以避免形成的电镀导电材质产生缺陷。进一步地，当晶圆浸泡在电镀液之前，在晶圆上施加一静电荷，藉以提升用来控沉积速率的加速剂的吸收性，以改善电镀介层窗所产生的缺陷。并且利用设置于电镀液外部的电极将静电荷施加于晶圆上。 主权项 1、一种在半导体晶圆上电镀一导电材质的方法，其特征在于其至少包括以下步骤：步骤(A)：将一晶圆浸泡在一电镀液中;步骤(B)：施加一电压于该晶圆上;步骤(C)：对该电镀液与该晶圆通以一电流;以及步骤(D)：限定步骤(C)所通入的该电流，使得浸泡该晶圆的该电流的密度小于或是等于0.1安培/cm2。 |
