公开号 102127782 公开日 2011.07.20 申请人 上海交通大学 地址 上海市闵行区东川路800号 一种微纳米技术领域的从离子液体中沉积制备超疏水性锑化铟薄膜的方法,通过将基底置于含有氯化铟和氯化锑的1一甲基-3-乙基咪唑双三氟甲基磺酰亚胺盐溶液中进行电化学沉积得到薄膜,再对该薄膜进行表面化学修饰得到超疏水性锑化铟薄漠。本发明沉积得到的锑化铟薄膜经过表面化学修饰水滴的接触响大于150。,滚动角小于20。。本发明的方法简单易行,能够适羽于各种导电基底表面。 |
公开号 102127782 公开日 2011.07.20 申请人 上海交通大学 地址 上海市闵行区东川路800号 一种微纳米技术领域的从离子液体中沉积制备超疏水性锑化铟薄膜的方法,通过将基底置于含有氯化铟和氯化锑的1一甲基-3-乙基咪唑双三氟甲基磺酰亚胺盐溶液中进行电化学沉积得到薄膜,再对该薄膜进行表面化学修饰得到超疏水性锑化铟薄漠。本发明沉积得到的锑化铟薄膜经过表面化学修饰水滴的接触响大于150。,滚动角小于20。。本发明的方法简单易行,能够适羽于各种导电基底表面。 |