公开日 20071212 发明人 SEKIGUCHI J, YAMAGUCHI S 申请人 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. 在半导体片上填充线路(大规模集成线路)中的细通孔和道沟时,采用一种含有吡咯或硅烷偶联剂的镀铜溶液,或者在镀铜前先在含有吡咯或硅烷偶联剂的预处理溶液中浸泡。在镀液中添加具有抑制铜溶解作用的组分,或者采用含有抑制铜溶解作用的溶液进行预处理,能够抑制不良沉积的铜种子层的溶解,从而避免诸如气孔、裂缝等缺陷的出现。 |
公开日 20071212 发明人 SEKIGUCHI J, YAMAGUCHI S 申请人 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. 在半导体片上填充线路(大规模集成线路)中的细通孔和道沟时,采用一种含有吡咯或硅烷偶联剂的镀铜溶液,或者在镀铜前先在含有吡咯或硅烷偶联剂的预处理溶液中浸泡。在镀液中添加具有抑制铜溶解作用的组分,或者采用含有抑制铜溶解作用的溶液进行预处理,能够抑制不良沉积的铜种子层的溶解,从而避免诸如气孔、裂缝等缺陷的出现。 |