晶体铬镀层

公开日 20071004

发明人 BISHOP C V, ROUSSEAU A, MATHE Z

一种具有{111}择优取向且晶格参数为(2.889 5 ± 0.002 5) Å的晶体铬镀层，以及包含该铬镀层的工件。在基体上电沉积晶体铬镀层的工艺包括：(1)制备含三价铬及二价硫化合物的镀液(几乎不含六价铬)，(2)将基体浸入镀液中，(3)施加电流使晶体铬沉积在基体上。