普通晶闸管曾称可控硅，是由半导体材料经硅加工形成的具有四层PNPN结构、三端引出线的半导体器件，其表示符号如图9-3所示，外形一般有螺栓形和平板形两种形式。
图9—3晶闸管符号A一阳极;K一阴极G一控制极 普通晶闸管的型号用KP表示。型号的标注为KP一500A/1200V，表示为普通晶闸管，其通态平均电流为500A，能够承受的正向或反向电压为1200V。 (1)晶闸管的伏安特性 阳极、阴极间电压和电流的关系曲线称为晶闸管的伏安特性，这是晶闸管的基本特性。 阳极伏安特性指晶闸管阳极、阴极间的电压YAK与阳极电流h之间的函数关系，如图9—4所示。 ①正向特性当门极开路(IG=0)时，晶闸管阳极、阴极间加上正向电压，此时晶闸管只通过很小的正向电流h，晶闸管阳极、阴极间呈现很大的电阻，处于正向阻断状态。当正向电压达到转折电压VBO时，阳极电流h突然急剧增大，晶闸管进入导通状态。导通后的正向特性与二极管的正向特性相似。 
图9—4晶闸管的伏安特性 如果在晶闸管门极上加触发电流IG，就会使晶闸管在较低的阳极电压下触发导通，门极电流工G越大，相应的转折电压越低，如图9—4中IG1、IG2相应的曲线。当门极电流足够大时，只要有很小的阳极正向电压，就能使晶闸管由阻断变为导通。 ②反向特性 当晶闸管外加反向阳极电压时，晶闸管始终处于反向阻断状态，当反向阳极电压增加到一定数值时，反向漏电流增加较快。再继续增加到转折电压VRSM时，将导致晶闸管反向击穿而损坏。 (2)晶闸管的门极伏安特性 门极伏安特性是指门极电压YAK与电流IG的关系。由于门极G与阴极K之间只有一个PN结，所以电压与电流的关系呈现出二极管伏安特性关系。 (3)晶闸管的主要参数 ①额定电压UN 晶闸管在门极开路时，能承受的最大正向和反向电压中较小的一个数值。在实际应用中，应选用晶闸管的额定电压为其正常工作电压的2～3倍。 ②通态平均电流IT在环境温度+40℃和规定的冷却条件下，晶闸管所允许通过的工频正弦半波电流的平均值。在实际应用中，一般选用晶闸管的IT为正常工作电流的l.5～2.0倍。 ③门极触发电压U。 产生门极触发电流所必需的最小门极电压，一般为1～5V。 ④门极触发电流I。 使晶闸管由断态转入通态所必需的最小门极电流，一般为几十到几百毫安。 |
