肼镀槽 Rhoda开发了几种用肼作还原剂[2-4]的镀槽(如表20—1所示)。镀槽中[Pd(NH3)4]2+络合物的制备：将NH3·H20小心地加到PdCl2溶液中，然后加热溶液溶解可能存在的沉淀物，如加乙二胺四乙酸作稳定剂以防止溶液自然分解。表20—1中的槽1适合于滚镀[2]，能以较高速度沉积硬度为l50～350努氏硬度(25g载荷)的软镀层，镀层中的最小含Pd量为99.4%，其密度为11.96g/cm3。 表20—1化学镀钯工艺规范
肼基镀槽的缺点是使用几小时后沉积速度急剧下降，已经开发[5-7]了几种改良的化学镀钯液以防止镀速的下降。 Paunovic和Ting[5]利用电化学方法研究了表20-1中槽3和槽5化学镀钯的基体情况，发现，肼的氧化交换电流密度(7.8 X 10-5 A/cm2)比次磷酸盐(2.6×10-5A/cm2)高，Shu及其同事[8]利用电化学极化测量研究了含钯氨络合物、乙二胺四乙酸和肼的碱性镀槽中，化学镀钯期间自动催化的影响，槽液中的4价钯可以通过与Pd-Sn活化的基体上的氧化锡相互反应而稳定存在。 次磷酸盐镀槽 在大多数实用化学镀钯槽中，使用钯氨络合物与氯化铵一起作稳定剂、次磷酸盐作还原剂[5,9～12]，表20-1槽4是一种代表性槽液组成。库存溶液的配置：将20g/L PdCl2-40mL/L HC1(38%)加到适量的氨水溶液并搅拌。这样的溶液可以在室温下保存20h，使用前过滤，然后加入次磷酸钠溶液，搅拌，加至最终的体积。每消耗3g左右的NaH2PO2·H20将产生1g化学镀钯层[13]。Sergienk0开发出了一种含乙二胺、乙二胺四乙酸和次磷酸盐的稳定化学镀钯槽。 其他还原剂槽 Stremsdoerfer等人[15]提出了一种在n-GaAs裸表面上化学镀钯和金一钯合金的新型镀槽。该镀槽用盐酸羟胺作还原剂，镀液中金属含量较低，在20℃的酸性介质中具有较高的沉积速度(0.5μm/h)。镀槽由以下两种溶液组成，溶液A中的HF和溶液B中的KC1分别起稳定剂的作用，少量A溶液加到40ml B溶液中，配制成裸露n-GaAs基体化学沉积钯的自动催化槽。 溶液A(配制900mL)： 0.39PdCl2溶于9mLHCl 5mL去离子水 864mL冰醋酸 22mLHF(40%) 溶液B(配制l00mL)： NH2OH·HCl，0.416g(0.06mol/L) KHF2，0.937g(0.12mol/L) KC1，14.912g(2.0mol/L) 柠檬酸(C6H807·H2O)，2.101g(0.1mol/L) 去离子水 该镀槽获得了具有良好结构和结合力的镀层。后来，Stremsdoerfer等人报道该槽沉积的镀层经550℃热处理后形成良好的金属-半导体结(Pd/n—GaAs结)[16]。 Nawafune等人[17]报道了用甲酸作还原剂的钯-乙二胺络合物槽化学镀纯钯的沉积条件，化学镀纯钯的基本工艺规范：0.01mol/L氯化钯、0.08mol/L乙二胺、0.2mol/L甲酸，pH值为6，60℃。后来，他们报道了用次磷酸盐和三甲胺硼烷作还原剂的乙二胺络合物化学镀钯槽[18]，当用次磷酸盐作还原剂时，镀层中有少量共沉积磷。 |
