化学镀层正广泛用于功能性的产品上，其特点是能够进行大生产，并能在不规则基体上形成均匀的镀层[1-7]。为了充分利用镀层的功能性，必须控制镀层的显微结构，以便获得最佳的功能性。本章重点讨论用于磁记录元件的化学镀钴层的磁性，其他方面的性能，读者可参考Safranek[8]提供的资料。 用作横向记录磁介质的化学镀钻合金层 自从1957年[9]使用化学镀钴合金以来，磁盘驱动已成为数字数据记录元件的中心，它具有容量大、存取速度快、可靠性好、成本低等优点。最先认识的记录介质是Y-Fe203粒子分散在有机黏结剂中组成的材料，不久以后开发了薄金属层记录介质，它达到甚至超过了前者的性能。 Fisher等人于1962年[10]首先提出了化学镀钴层在磁记录介质中的应用，并作了大量研究[11-20]。与此同时，电镀钴合金的研究也得到广泛开展[21～27]。由于化学沉积能够批量生产均匀膜层，20世纪70年代曾试图将化学镀层用作磁鼓介质和模拟记录盘。直到1981年[28]化学镀层才真正应用到硬磁盘系统中，该系统中使用了化学镀CoNiP介质和溅射r-Fe203介质。 在实际应用中，成功地使用了各种不同化学镀介质，并且通过精密工艺进行了批量生产。例如[29-37]，生产高可靠性化学镀钴合金介质的基本技术：槽液控制，基体预处理，保护涂层，润滑和工艺控制。表l9—1列出了生产CoNiP膜层横向记录介质的典型槽液组成和操作条件，表l9—2列出了膜层的磁性。 利用化学沉积法制备了薄层介质，研究了表面活性对提高磁性的影响[30，38]，为了获得较高的表面记录密度，横向记录介质必须具有较高矫顽磁力(Hc)和较薄的磁介质厚度(δ)，可以通过分离单个晶体[39,41]获得这样的介质，为了减少杂波[42,43]必须有效地保证分离条件。化学沉积介质中，Zn与C0合金体系的共沉积能够有效地分离晶体，并获得极细的晶体结构，产生较高的H。和较低的杂波[44,45]。图l9—1表示CoNiP和CoNiZnP横向记录介质的典型MH曲线和SEM、TEM图，表19—2列出了它们的磁性。最近在高记录密度上取得进展，溅射C或Si02膜顶层厚度不到10nm，但具有同样的磁性。由于化学镀CoNiP和 表19—1化学镀CoNiP和CoNiZnP横向及垂直记录介质的槽液组成和操作条件   图19—1化学镀CoNiP和CoNiZnP横向记录磁介质的典型MH曲线以及SEM、TEM横截面图 表19-2化学镀CoNiP和CoNiZnP横向及垂直记录介质的磁性  CoNiZnP层存在腐蚀问题，20世纪80年代，用溅射磁盘工艺取代了镀覆磁盘工艺，如溅射C顶层的CoCrTa或CoCrPtTa介质[46]。 |
