1.阴极溅射设备 阴极溅射设备的特点是首先将溅射室抽至10 -4~10-3Pa的真空度，以防溅射原子被污染，再通入惰性气体(如氩气)至0.1~1Pa的真空度，然后在阴、阳极间施加最高达5kV的高电压(具体数值由阴极材料而定)。使惰性气体产生辉光放电而部分电离，在阴极负高压的吸引下，惰性气体离子被加速并轰击阴极材料(即靶材)，使靶材表面的某些原子被溅射出来，以高速沉积到阳极(即镀件)表面而形成镀层。这是经典的溅射设备，也是二极溅射设备，它不足之处是镀件温升高，沉积速度慢。 为提高沉积速度，可在其中增设一个射出热电子的电极，使靶电流密度增大，以此达到提高镀速的目的，这便是三极溅射设备。 为了使第三电极热电子放出速度加快，并使放电稳定，再装一稳定电极为第四电极，即成为四极溅射设备。 2.反应溅射设备 这种设备是利用溅射膜对杂质气体敏感的特性，在情性气体中混入活性气体或仅用活性气体进行溅射，使可以得到靶材与活性气体起反应生成的化合物膜层。 3.磁控溅射设备 是在阴极溅射设备中加一个与靶材表面平行的磁场，一方面使溅射出来的电子偏转，不去轰击镀件而使镀件温升大为降低;另一方面，电子在靶材表面作螺旋运动，不断撞击惰性气体分子并使之电离，从而增加离子密度，便可使沉积速度提高。 4.等离子溅射设备 用热阴极发射的电子或用高频激励等方法，使低压气体放电形成的离子体的一种低压、低能、高离子电流的溅射设备。其特点是因它是在低气压下进行，因此，膜层纯度高，附着力强。此外，因为低能溅射，故镀件升温低，可以在熔点低的有机物上镀覆。缺点是很难获得大面积均匀的膜层。 5.高频溅射设备 阴极溅射与等离子溅射设备均无法溅射绝缘体，若在绝缘体背面装上金属电极并加上高频电压，使正离子(用于溅射)和电子(用于中和正电荷)交替地打在阴极靶面上，使溅射正常进行的设备称为高频溅射设备。其特点便是能镀覆绝缘体材料。 |
