气相镀的装置包括反应气体输入部分、反应激活能源的供给部分和气体排除部分。目前一般分为三类：常压CVD、低压CVD和等离子体CVD。 1.常压CVD法 常压CVD一般用开管气流法。开管气流法的特点是能连续地供气与排气，一般物料的输运是靠外加不参加反应的中性气体来实现的。在绝大多数情况下，开管操作是在10^5Pa或稍高一点的条件下进行的。这样有利于废气从反应系统中排出。 开管法的优点是试样容易放进和取出，同一装置可以多次使用，沉积工艺条件容易控制，结果重现性好。 2.低压CVD法 低压CVD与常压CVD不同点是系统内的压力低于10^5Pa，需加减压装置片子垂直放置。衬底片能面对气流方向以很小间距垂直地放置，仍能使气体和衬底片均匀地接触，从而提高了生产能力，经济实效好，便于大量生产。采用电阻加热炉直接加热衬底，容易控制气相分解，温度均匀性好，明显地改善了镀层厚度和组分的均匀性。 3.等离子体CVD法 等离子体增强化学气相镀是一种射频辉光放电的物理过程和化学反应相结合的技术，气体由于受紫外线的辐射，有轻微的电离，存在杂散电子，当反应气体进入反应室，在射频电场的加速作用下，电子获得能量，当它和气体中的原子或分子发生非弹性碰撞时，有可能使之电离产生二次电子，它们再进一步和气体中的原子或分子碰撞电离，将产生大量电子和正离子，通过电子附着过程还会出现负离子。总之，通过气体放电，反应室内除了中性粒子外，还存在着大量的正、负离子和电子，而且各处正、负电荷总数相等，即反应室放电区内的气体处于等离子体状态。 等离子体CVD的特点是能够在较低的温度(小于350℃)下生成气相镀层，对镀层易于进行等离子体刻蚀加工;其镀层的针孔密度小，台阶覆盖性能好。 |
