◇特性：本品具有良好的覆盖能力和分散能力，使用寿命长，制备的Ga薄膜光亮、均匀、无缺陷，金属薄膜的厚度和成分可通过控制沉积条件任意改变，适合于制备CuInGaSe2、GaN、GaAs等相关的半导体薄膜;且制作方法简单实用、设备投资小、成本低，适合于大规模产业化应用。 ◇用途与用法：本品主要应用于电镀金属Ga和Ga合金。 本品用于制备CIGS薄膜太阳电池，方法是以电镀Cu/溅射Mo/玻璃、金属箔或塑料作为阴极，Ga金属阳极或钛网为惰性阳极，放入上述溶液体系中，接通恒电流源或恒电位源，即可得到Ga薄膜，其工艺参数为电流密度范围20~200mA/cm2、溶液温度10~60℃。 ◇配方：
◇制作方法: (1)将金属盐、络合剂和有机酸分别溶解在水中配制成饱和浓度的溶液备用; (2)在水中依次加入金属盐溶液、有机酸溶液、络合剂溶液和有机添加剂并搅拌均匀; (3)用碱性溶液调节pH值。 ◇注意事项 ：本品各组分物质的量(mol)配比范围为：金属盐0.05～0.5，导电盐1～4，络合剂0.1～0.8，有机酸0.5～3，有机添加剂4～20，水加至1L。 所述金属盐为Ga金属盐、Ga与In或Cu的金属盐，其中金属盐为氯化物盐、硫酸盐或硝酸盐。 所述导电盐为钠盐、钾盐、锂盐或其中两种或两种以上以任何比例混合物。 所述络合剂为柠檬酸、柠檬酸盐、酒石酸、酒石酸盐、葡萄糖酸、葡萄糖酸盐、硫脲、氨基硫脲、三乙醇胺、磺基水杨酸、甘氨酸、氨基磺酸或氨基丙磺酸。 |
