铜一钨复合镀层电沉积工艺及其性能：结果与讨论(一)

1．工艺参数对镀层中钨质量分数的影响

1．1  镀液中钨质量浓度的影响

    图l是在温度为30 ℃、搅拌速率500 r／min和电流密度3 A／dm²的条件下，当镀液中含不同质量浓度的钨颗粒时，镀层中钨共沉积量的测定结果。由图1可知，钨共沉积量随钨颗粒在镀液中质量浓度的增大而增加，在35 g/L左右时达到最大值，然后又缓慢减少。

图1镀液中钨质量浓度与镀层中钨质量分数的关系

Figure l Relationship between the mass concentration of

tungsten particles in bath and the mass fraction of tungsten in

deposit

1．2  阴极电流密度的影响

    图2是在温度为30 ℃、搅拌速率500 r／min、镀液中钨质量浓度为30g／L的条件下，当阴极电流密度变化时，镀层中钨共沉积量的试验结果。由图2可知，钨共沉积量随阴极电流密度的增大而增加，当电流密度达到3．5 A/dm²时，钨共沉积量达到最大值。

图2阴极电流密度与镀层中钨质量分数的关系

Figure 2 Relationship between cathodic current density and

mass fraction of tungsten in deposit

1．3  搅拌速率的影响

    图3是在温度为30℃、电流密度3 A／dm²、镀液中钨质量浓度为注：本站部分资料需要安装PDF阅读器才能查看，如果你不能浏览文章全文，请检查你是否已安装PDF阅读器！