|
专利号(申请号)：200610015536.6 公开（公告）号：CN101135045 公开( 公告)日：2008-03-05 申请日：2006-08-31 申请（专利权）人：国家纳米技术与工程研究院，北京航空航天大学，深圳微纳超细材料有限公司 页 数：8 摘要： 一种在SiC微颗粒表面磁控溅射镀铜膜的方法，其特征是采用微颗粒磁控溅射镀膜设备，以0.1～500μm的SiC颗粒材料作为基底，纯度为99.999％的铜作为靶材，通过调节超声波的振动功率及样品架的摆动频率，使SiC颗粒在溅射镀膜时能够均匀地分散，再通过改变真空室内的工作气压、溅射功率、温度和溅射时间等工艺条件，在其表面沉积上金属铜膜。该工艺操作简单，成本低廉，无废水废气污染，所制备的薄膜均匀，连续。 |
