一种在硅片上化学镀铜的方法

专利号(申请号)：200610028008.4

公开（公告）号：CN1865500

公开( 公告)日：2006-11-22

申请日：2006-06-22

申请（专利权）人：复旦大学

页 数：7

摘要：

本发明属于化学镀铜技术领域，具体为一种在硅片上镀铜的新方法。该方法是在含铜盐的氢氟酸溶液中，在硅片表面引入铜晶种作为催化剂，进而进行镀铜。由于铜的自催化作用，可以快速地引发化学镀镀液中铜离子的还原，使得还原出的铜快速地沉积在基底的表面上，得到牢固、光亮和均匀的铜镀层。本发明方法操作简便，价格低廉，同时又提高了铜膜的纯度和导电性能。