酸性半光亮镀锡液的性能 (一)沉积速度 用5cm×10cm的铜霍尔槽样板，以1A总电流在25℃下镀5min，然后用X一射线荧光测厚仪分别测定AMT-1及S公司半光亮锡液的沉积速度，结果如图11-6所示，由图可见，在2A／dm2时它们的沉积速度分别为4．7μm／5min和4．5μm／5min。
图11-6 AMT-1及S公司半光亮锡液沉积速度的比较 (二)分散能力(Throwing Power) 用远近阴极比为2：1的哈林(Haring)槽，阴极用铜板，分别在AMT一1和S公司镀液中，以1．0A／dm2、1．5A／dm2和2A／dm2的电流密度，在25℃下施镀5min，清洗干燥后称量远、近阴极在施镀前后的增重，再按下式计算分散能力。
式中M2--远阴极镀层的增重； M1--近阴极镀层的增重。 测量结果如图ll-7所示。由图可见，在2．0A／dm2时AMT一1液的分散能力为84％，S公司的为75％。
图11- 7 AMT-1及S公司半光亮镀锡液分散能力的比较 (三)覆盖能力(Covering Power) 用φ10mm×l00mm铜管以水平夹角450分别挂在2L的AMT-1和S公司镀液中，以0．5A／dm2、1．0A／dm2、1．5A／dm2、2．0A／dm2和2．5A／dm2的电流密度，在25℃下电镀5min，然后剖开铜管，测量两端管内锡层的长度，再按下式计算覆盖能力。
式中 a--左端管内锡层的长度； b--右端管内锡层的长度； L--铜管的总长度。 测量结果如图ll-8所示。由图可见，两种镀液的覆盖能力相当，在2．0A／dm2时覆盖能力达82％，在2．5A／dm2时可达93％。
图11-8 AMT一1及S公司半光亮镀锡液覆盖能力的比较 (四)电流效率 用铜库仑计以电流效率l00％的硫酸铜溶液为参照液，分别测定AMT-1和S公司镀液在2A／dm2，25℃下的电流效率分别为98．5％和98．2％，表明两种镀液的电流效率十分接近。 (五)铜离子的影响 用霍尔槽试验法，以铜极做阴极，在AMT-1镀液中分别加入不同量的铜离子，并在总电流1A，25℃下施镀5min，取出后观察镀层外观的变化，结果表明，在镀液中加入120mg／L Cu2+时，对0．5～5A／dm2电流密度区的镀层外观无影响。当Cu2+浓度达240mg／L时，则在2．5A／dm2以上的高电流密度区会出现灰暗现象。当Cu2+浓度达600mg／L时，灰暗区扩大到2A／dm2以上的镀层。 (六)稳定剂AMT一1S对Sn2+的稳定效果 二价锡离子在高温下易被氧化而形成难溶的偏锡酸胶体，使溶液变混浊，因此用浊度计测定50℃和60℃时添加l5mL／L AMT一1S稳定剂和不加稳定剂溶液的混浊度就可以知道稳定剂的稳定效果。图11-9是高温处理一定时间后两种溶液的混浊度的测定结果，由图可见，加稳定剂的溶液的混浊度远比未加的为低，表明稳定剂是有效的。
图11-9在高温时AMT-1S稳定剂稳定Sn2+的效果 若在加与不加稳定剂的镀锡液中分别加入双氧水来加速Sn2+的氧化，再利用浊度计来测定溶液的混浊度，结果如图ll-10所示，当加入双氧水(30％)的量达7mL／L时，加稳定剂镀液的混浊度比未加稳定剂的低好多倍，表明稳定剂确有很好的稳定Sn2+的效果。 (七)絮凝剂AMT一1P对偏锡酸的沉降效果 在两个装有混浊镀锡液的100mL量筒中，一个加入2mLAMT一1P絮凝剂，一个不加絮凝剂，将两个量筒充分搅拌后静置，记录经过不同时间后上层澄清液的体积(mL)，结果如图11-11所示。
图11-10双氧水加速氧化时AMT一1S稳定剂稳定Sn2+的效果
图11-11絮凝剂AMT一1P对沉淀物的沉降效果 由图ll-11可见，加絮凝剂后，上层澄清液的体积远大于未加絮凝剂的，而且两者之差随着静置时间的延长在加大，这说明加入絮凝剂后静置时间越长，沉淀物的分离效果越好。 |
