俄歇效应是伴随一个电子能量降低的同时，另一个电子能量增高的跃迁过程。最早是由奥杰(Auger)于1925年在从事X射线研究工作时发现的。l953年兰德(Lander)提出使用电子激发俄歇电子的技术来鉴别固体表面的杂质。1968年哈里斯(Harris)论证了使用能量分布的微分曲线得到俄歇能谱，从而使这一方法的灵敏度得到极大提高。从而使俄歇电子能谱法(AEs)的应用得到普及。俄歇电子在固体中运行也同样要经历频繁的非弹性散射，能逸出固体表面的仅仅是表面几层原子所产生的俄歇电子，这些电子的能量大体上处于10～500eV，它们的平均自由程很短，大约为0.5～0.2nm，因此俄歇电子能谱所考察的只是固体的表面层。俄歇电子能谱通常用电子柬作辐射源，电子束可以聚焦、扫描，因此俄歇电子能谱可以作表面微区分析，并且可以从荧光屏上直接获得俄歇元素像。它是近代考察固体表面的强有力工具，广泛用于各种材料分析以及催化、吸附、腐蚀、磨损等方面的研究。 俄歇电子能谱法在表面化学成分分析方面应用较广。能对表面0.5～0.2nm厚度内的化学成分进行高灵敏度的分析。但是要做出绝对定量的分析比较困难。因此这种方法只适合做半定量分析。 |
