| 本文对p-GaN／Au的接触电阻率进行了研究。用沸腾的王水处理p-GaN表面后，p-GaN／Au可直接形成电阻率为0．045Ω.cm2 的欧姆接触。接触电阻率测试和I-V特性曲线测试表明，在N2气氛围中退火可影响p-GaN／Au接触电阻率的大小。在700℃温度下退火5min后，接触电阻率最小，其值为0．034Ω.cm ，而在900℃温度下退火5min后，I-V特性曲线是非线性的。分析表明，在700℃温度下退火后，p-GaN／Au的界面间的反应使接触面增大，而在900℃温度下退火后， p-GaN表面的N会扩散到Au层里在p-GaN表面层产生N空位，这是p_GaN／Au接触电阻率变化的主要原因。
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