| A1SiC电子封装材料及构件具有高热导率、低膨胀系数和低密度等优异性能，使封装结构具有功率密度高、芯片寿命长、可靠性高和质量轻等特点，应用范围从功率电子封装到高频电子封装。综述了国内外制备A1SiC电子封装材料及构件所涉及的预制件成形、液相浸渗铸造、力学性能、气密性、机械加工、表面处理和构件连接等方面的研究进展。
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发布日期：2012-03-01 浏览次数：1261
| A1SiC电子封装材料及构件具有高热导率、低膨胀系数和低密度等优异性能，使封装结构具有功率密度高、芯片寿命长、可靠性高和质量轻等特点，应用范围从功率电子封装到高频电子封装。综述了国内外制备A1SiC电子封装材料及构件所涉及的预制件成形、液相浸渗铸造、力学性能、气密性、机械加工、表面处理和构件连接等方面的研究进展。
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