| 采用O2等离子体及HF溶液对AIGaN／GaN异质结材料进行表面处理后，Ni／Au肖特基接触特性比未处理有了明显改善，反向泄漏电流减小3个数量级．对制备的肖特基接触进行200-600℃ 5min的N2气氛退火，发现退火冷却后肖特基反向泄漏电流随退火温度增大进一步减小．N2 气中600℃退火后肖特基二极管C-V特性曲线在不同频率下一致性变好，这表明退火中Ni向材料表面扩散减小了表面陷阱密度；C-V特性曲线随退火温度增大向右移动，从二维电子气耗尽电压绝对值减小反映了肖特基势垒的提高．
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