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关 键 词：铜，钨，复合镀层，电沉积，工艺，性能 作 者： 内 容： 摘要：采用复合电沉积的方法，通过在镀铜液中加入直径为1～3μm的钨颗粒，在纯铜表面制备了铜_钨复合镀层。研究了镀液中钨质量浓度、阴极电流密度、搅拌速率、镀液温度等工艺参数对镀层中钨质量分数的影响，测定了复合镀层的显微硬度和接触电阻。得到了复合电沉积的最优工艺为：钨质量浓度35g／L，电流密度4 A／dm2，搅拌强度600 r／min，温度50℃。所得铜—钨复合镀层具有合适的显微硬度(98．5～112．0 HV)、稳定且较低的接触电阻及较长的电接触寿命，可以取代AgCdO触头。 关键词：铜一钨复合电沉积；电接触材料；显微硬度；接触电阻 中图分类号：TB331；TQl53．14 文献标志码：A 文章编号：1004—227X(2009)05—0017—03 Study on eIectrodepositiOn process and properties of copper-tungsten composite coating／／LI Guang—yu，ZHANG Xiao—yan*，YAN Chao-jie，ZHU Li-bing，CHEN Xiang-xiang Abstract：A copper-tungsten composite coating was electrodeposited on red copper substrate by adding tungsten particles(1-3μmin diameter)to a copper plating bath．The effects of tungsten mass concentration in bath。cathodic current density，stirring rate and bath temperature on the microhardness of deposit were studied．The optimal process conditions were obtained as follows：tungsten massconcentration35 g／L，current density4 A／dm2，stirring rate 600 r／min，and bath temperature50℃．The copper-tungstencomposite deposit has characteristics of appropriatemicrohardness(98．5-112．0 HV)．stable and lOW contactresistance，as well as long electrical contact life，being able tosubstitute the AgCdO contact． Keywords：copper-tungsten composite electrodeposition；electrical contact material；microhardness；contact resistance First-author’s address：College of Material Science and Metallurgical Engineerin9，Guizhou University，Guiyang550003．China
1 前言
所谓复合电沉积，是在电镀或化学镀溶液中加入不溶性的固体微粒，并使其与主体金属共沉积在基材上的镀覆工艺，得到的镀层为复合镀层[1]。目前，电沉积复合镀层在自润滑、电接触材料，电催化、光活性材料及储能等领域得到了开发和应用[2-3]。
电接触材料又称为接触元件，是电器开关、仪器仪表中的重要元器件，它担负着电路之间接通与断开，以及负载相应电路中电流的任务。在现代化大型电气系统(如大型电力系统、自动化系统、通讯系统)中，包括了数以万计的电接触元件。航空、电子、机械、海洋、化工、冶金及核能等工业的不断发展，对电接触元件触头的工作寿命及工作可靠性提出了愈来愈高的要求[4-5]。本文采用复合电沉积的方法，在纯铜表面制备铜一钨复合镀层，使其满足触头的使用要求，以取代银基合金触头，降低材料成本。
铜一钨复合镀层电沉积工艺及其性能：实验 铜一钨复合镀层电沉积工艺及其性能：结果与讨论(一) 铜一钨复合镀层电沉积工艺及其性能：结果与讨论(二) 铜一钨复合镀层电沉积工艺及其性能：结论 注：本站部分资料需要安装PDF阅读器才能查看，如果你不能浏览文章全文，请检查你是否已安装PDF阅读器！ |
