三、预防措施 预防措施的制订需要考量实际生产中化学品和设备对各种缺陷的贡献度,才能避免或消除缺陷并提升良品率。 贾凡尼效应的预防可以追溯到前制程的镀铜工序,对高纵横比孔和微通孔而言,均匀的电镀层厚度有助于消除贾凡尼效应的隐患。剥膜,蚀刻以及剥锡工序中的过度腐蚀或侧蚀都会促使裂缝的形成,裂缝中会残留微蚀溶液或其他溶液。尽管如此,阻焊膜的问题仍是发生贾凡尼效应的最主要原因,大多数发生贾凡尼效应的缺陷板都有侧蚀或阻焊膜脱落现象,这种问题主要来自于曝光显影工序。因此如果阻焊膜显影后都呈“正向脚”同时阻焊膜也被完全固化,那么贾凡尼效应问题就几乎可以被消除。要得到好的沉银层,在沉银的位置必须是100%金属铜,每个槽溶液都有良好的贯孔能力,而且通孔内溶液能够有效交换。若是非常精细的结构,如HDI板,在前处理和沉银槽液中安装超声波或喷射器非常有用。对于沉银工艺生产管理而言,控制微蚀速率形成光滑、半光亮的表面也可以改善贾凡尼效应。对于原始设备商(OEM)而言,应尽量避免大铜面或高纵横比的通孔与细线路相连接的设计,消除发生贾凡尼效应的隐患。对化学品供应商而言,沉银液不能有很强的攻击性,要保持适当pH值,沉银速度受控并能生成预期的晶体结构,能以最薄银厚达到最佳的抗蚀性能。 腐蚀 可以通过提高镀层密度,降低孔隙度来减小。使用无硫材料包装,同时以密封来隔绝板与空气的接触,也防止了空气中夹带的硫接触银表面。最好将包装好的板存放在温度30℃、相对湿度40%的环境中。虽然沉银板的保存期很长,但是存储时仍要遵循先进先出原则。 露铜 可以通过优化沉银的前工序来降低或消除。为了达到这个目的,可在微蚀后通过“破水”实验或“亮点”实验来检查铜表面,清洁的铜表面可以保持水膜至少40秒。定期维护保养设备以确保溶液循环均匀稳定,通过DOE优化时间、温度、搅拌来获得最佳的沉银操作参数,进而确保得到理想的厚度和高品质的银层。根据需要使用超声波或喷射器来提高沉银液对微通孔、高纵横比孔及厚板的润湿能力,同时也为生产HDI板提供可行的解决方案,这些辅助的机械方法可被应用在前处理和沉银液中来确保孔壁完全被润湿。 离子污染 可通过降低沉银溶液的离子浓度来降低。基于这个原因,在不影响溶液性能的条件下,沉银液的离子含量应尽可能保持在较低水平。通常最后的清洗段要用去离子水清洗至少1分钟,同时还必须定期检测离子含量(阴离子和阳离子)是否符合工业标准。区别主要污染的来源,这些测试的结果必须记录并保留。 微空洞 是最难预防的一种缺陷,因为它产生的真正原因尚未明确。诚如前面所述,我们已经知道有些因素似乎会引发微空洞或伴随微空洞而出现,可以通过消除或尽量减少这些因素来达到控制出现微空洞问题。其中沉银厚度是引发微空洞的最显著因素,所以控制沉银层厚度是首要步骤。其次还应该调整微蚀速度和沉银速度以获得光滑均匀的表面结构。还要通过测试槽液在使用周期内不同时间点的沉银层的纯度,来监控沉银层中的有机物含量,合理的银含量应控制在90% (原子比)以上。 二、根本原因分析 通过对造成缺陷的根本原因分析,可经由工艺改善和参数优化相结合的方式将这些缺陷率降到最低。 贾凡尼效应通常出现在阻焊膜和铜面之间的裂缝下。在沉银过程中,因为裂缝的缝隙非常小,限制了沉银液对此处的银离子供应,但是此处的铜可以被腐蚀为铜离子,然后在裂缝外的铜表面上发生沉银反应。因为离子转换是沉银反应的源动力,所以裂缝下铜面受攻击程度与沉银厚度直接相关。 2Ag+ + 1Cu = 2 Ag + 1Cu++ (+是失去一个电子的金属离子) 下面任何一个原因都会形成裂缝:侧蚀/显影过度或阻焊膜与铜面结合不好;不均匀的电镀铜层(孔口薄铜处);阻焊膜下基材铜上有明显的深刮痕。 腐蚀 是由于空气中的硫或氧与金属表面反应而产生的。银与硫反应会在表面生成一层黄色的硫化银(Ag2S)膜,若硫含量较高,硫化银膜最终会转变成黑色。银被硫污染有几个途径,空气(如前所述)或其他污染源,如PWB包装纸。银与氧的反应则是另外一种过程,通常是氧和银层下的铜发生反应,生成深褐色的氧化亚铜。这种缺陷通常是因为沉银速度非常快,形成低密度的沉银层,使得银层低部的铜容易与空气接触,因此铜就会和空气中的氧产生反应。疏松的晶体结构的晶粒间空隙较大,因而需要更厚的沉银层才能达到抗氧化。这意味着生产中要沉积更厚的银层从而增加了生产成本,也增加了可焊性出现问题的机率,如微空洞和焊接不良。 露铜 通常与沉银前的化学工序有关。这种缺陷在沉银工艺后显现,主要是因为前制程未完全去除的残留膜阻碍了银层的沉积而产生的。最常见的是由阻焊工艺带来的残留膜,它是在显影液中显影未净所致,也就是所谓的“残膜”,这层残膜阻碍了沉银反应。机械处理过程也是产生露铜的原因之一,线路板的表面结构会影响板面与溶液接触的均匀程度,溶液循环不足或过多同样会形成不均匀的沉银层。 离子污染 线路板表面存在的离子物质会干扰线路板的电性能。这些离子主要来自沉银液本身(残存在沉银层或在阻焊膜下)。不同沉银溶液离子含量不同,离子含量越高的溶液,在同样的水洗条件下,离子污染值越高。沉银层的孔隙度也是影响离子污染的重要因素之一,孔隙度高的银层容易残存溶液中的离子,使得水洗的难度增大,最终会导致离子污染值的相应升高。后水洗效果同样会直接影响离子污染,水洗不充分或水质不合格都会引起离子污染超标。 微空洞 通常直径小于1mil,位于焊料和焊接面之间的金属界面化合物之上的空洞被称为微空洞,因为它实际上是焊接面的“平面空泡群”,所以极大的减小了焊接结合力。OSP、ENIG以及沉银表面都会出现微空洞,其形成的根本原因尚未明确,但已确认了几个影响因素。尽管沉银层的所有微空洞都发生在厚银(厚度超过15μm)表面,但并非所有的厚银层都会发生微空洞。当沉银层底部的铜表面结构非常粗糙时更容易产生微空洞。微空洞的发生似乎也与共沉积在银层中的有机物的种类及成分有关。针对以上所述之现象,原始设备厂商(OEM)、设备生产服务商(EMS)、PWB制造厂商以及化学品供应商进行了数个模拟条件下焊接研究,但没有一个能够彻底消除微空洞。
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