专利号(申请号):200580040843.3 公开(公告)号:CN101065520 公开( 公告)日:2007-10-31 申请日:2005-11-11 申请(专利权)人:纳幕尔杜邦公司 页 数:23 摘要: 本发明涉及在导电表面上的凹进形貌学特征上选择性电镀一层或多层金属层的方法和装置。本发明的方法和装置用于制造金属电路图,例如在集成电路元件之间产生铜互连,所述集成电路元件嵌入在半导体晶片表面上的绝缘材料薄层中。 |
专利号(申请号):200580040843.3 公开(公告)号:CN101065520 公开( 公告)日:2007-10-31 申请日:2005-11-11 申请(专利权)人:纳幕尔杜邦公司 页 数:23 摘要: 本发明涉及在导电表面上的凹进形貌学特征上选择性电镀一层或多层金属层的方法和装置。本发明的方法和装置用于制造金属电路图,例如在集成电路元件之间产生铜互连,所述集成电路元件嵌入在半导体晶片表面上的绝缘材料薄层中。 |