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一种制备Ag2Te薄膜或纳米线阵列的电镀液

放大字体  缩小字体发布日期:2012-04-14  浏览次数:1268

专利号(申请号):200810019472.6

公开(公告)号:CN101298697

公开( 公告)日:2008-11-05

申请日:2008-01-18

申请(专利权)人:合肥工业大学

页 数:8

摘要:

本发明公开了一种用于制备Ag2Te薄膜或纳米线阵列的电镀液,特征在于其为含有 AgNO3和HTeO2+的水溶液,其中[AgNO3]∶[HTeO2+]=1∶5,[HTeO2+]=0.1~1M,电镀液的pH值用HNO3调为0.5~1.5。本发明的电镀液可以在室温下快速、安全地实现Ag2Te的大量沉积,所得单晶质量高。

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