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专利号(申请号)：200810038106.5 公开（公告）号：CN101320701 公开( 公告)日：2008-12-10 申请日：2008-05-27 申请（专利权）人：秦拓微电子技术（上海）有限公司;张健欣;许崇龙 页 数：7 摘要： 本发明揭示了一种先进的芯片尺寸封装技术中铜凸柱的新制备方法，重点包括：1.选用合适的材料做掩膜制具，该掩膜制具具有较高的机械强度、抗弯强度、化学惰性及良好的绝缘性能。2.根据集成电路(IC)的封装要求，制备形成铜凸柱的通孔，并做小角度的倒角。3.该掩膜制具含有套刻标记，可与集成电路晶圆光刻对准。在使用时，该掩膜制具被紧密贴放在需要形成铜凸柱的晶圆上，然后置于电镀液中进行电镀。待铜柱在圆孔中形成后，再将掩膜制具取下，进行高温回流(Reflow)处理，最终形成所述芯片尺寸封装(CSP)用的铜凸柱。掩膜制具的俯视图如图所示。 |
