点击图片查看大图锡须生长抑制剂
【简介】
锡须的形成是纯锡的一种典型特征，锡须是从锡面生长起来的单晶体。这些锡须长到3-4微米大小甚至几毫米的长度。造成锡须生长的驱动力非常多，通常是各种影响力相互作用的结果，而不是单一种因素，然而其中一些因素被加以影响，从而达到显著抑制锡须的效果。压力是产生锡须的主要原因，在存储的过程中铜-锡交界处扩散作用的结果，当锡沉积到铜面上时就产生压力，因而铜扩散到锡中远比锡扩散到铜中要快。沉锡层扩散前端不是均匀分布的，锡氧化物阻止了压力的释放，当内部压力够高时，它会从氧化层的薄弱处突破，形成锡须以释放压力。
昆山安仁特化工有限公司通过其中的一些因素加以影响的研究；终于成功地研究出先进的技术产品来抑制锡须的生长。
【设备】
槽： 衬koroseal、PVC、聚丙烯或聚乙烯槽。
加热/冷却圈： 特氟龙
搅拌： 中速搅拌。低压空气搅拌，配过滤泵，或机械搅拌。空气搅拌需均匀，出气口位于工件下方。
过滤：不允许
抽风：需要
【所需化学品】
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ALT-WIG-A A： |
用于开缸和补充 |
【操作条件】
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UNIT |
范围 |
最佳 |
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ALT-WIG-A A： |
% |
100% |
100% |
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Acidity |
mol/L |
0.25-0.45 |
0.35 |
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络合剂 |
g/L |
20-40 |
30 |
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铜离子 |
mg/L |
＜120 |
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纳米金属 |
mg/L |
20-60 |
40 |
|
银浓度 |
mg/L |
50-250 |
150 |
|
温度 |
℃ |
20-50 |
40 |
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浸溃时间 |
Sec |
30 |
20 ～120 |
【开缸步骤】
100% 配槽
【工艺流程】
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工艺流程 |
化学镀体系 |
电镀体系 |
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硫酸型 |
甲基磺酸型 |
硫酸型 |
甲基磺酸型 |
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1. |
ALT-WIG-A |
ALT-WIG-A |
ALT-WIG-A |
ALT-WIG-A |
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2. |
无需水洗 |
水洗 |
无需水洗 |
水洗 |
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3. |
化学锡 |
化学锡 |
化学锡 |
化学锡 |
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4. |
后浸锡 |
后浸锡 |
后浸锡 |
后浸锡 |
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5. |
水洗 |
水洗 |
水洗 |
水洗 |
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6. |
锡保护 |
锡保护 |
锡保护 |
锡保护 |
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7. |
水洗 |
水洗 |
水洗 |
水洗 |
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8. |
烘干 |
烘干 |
烘干 |
烘干 |
【维护】
补充新鲜的的ALT-WIG-A溶液直到铜离子浓度到120mg/L。ALT-WIG-A溶液是不含铜离子的。带出消耗和反应损耗由新鲜的溶液来补充，补充量为100ml/平方米。如果铜离子浓度超过120mg/L；更换新槽或使用feed and bleed方式来更新老的槽液，使得铜离子的浓度始终不超过极限值。每平方米的切板补充150ml；此槽液的寿命在10平方米每升要换槽。
特别声明
此说明书内所有提议或关于本公司产品的建议，是以本公司信赖的实验及资料为基础。因不能控制其他从业者的实际操作，故本公司不能保证及负责任何不良后果。此说明书内的所有资料也不能用为侵犯版权的证据。