点击图片查看大图
LINK</d>57">OTS LINK</d>3">TAR HS-200有机镀锡工艺
LINK</d>1">一、简介：
LINK</d>5">OTS TAR HS-200为一低泡沫性的有机酸电镀工艺，能再高速和低速下电镀出沉积均匀、多边形大晶粒纯锡镀层。
特别设计用于高速片状式或卷带式电镀设备，该工艺非常适用于半导体引线框架和连接器。此工艺可以通过改变操作参数用于低速电镀。
二、优点与特征：
*环保；*无铅镀层； *低应力；
*优越的焊锡性能； *低泡沫性电镀液；
*均匀缎状哑光外观； *大尺寸多边形结晶（直径4-5微米）；
三、镀层特性：
*结构与外观：大结晶，缎状—哑光
*合金比例： 100%锡
*熔点： 232°C（450°F）
四、所需材料
OTS TAR HS-200 Ⅰ# 添加剂，维持细致及均匀的镀层；
LINK</d>18">OTS TAR HS-200 Ⅱ# 添加剂，维持低电流密度区域的覆盖能力，补充量为每1000安培小时20-30毫升，或保持浓度在3-7 ml/L；
LINK</d>24">OTS LINK</d>20">TAR HS-200 锡浓缩液，提供锡离子，每添加3.33LINK</d>70">ml/L的锡浓缩液可以提高锡浓度1g/L；
LINK</d>22">OTS TAR HS-200 C酸液，使槽液温度，每添加10ml/L酸液，镀液的酸浓度会提升1%；
OTS TAR HS-200 AO浓缩液，是一种抗氧化剂，以减低二价锡的氧化。
五、设备：
电镀缸：聚乙烯、聚丙烯、CPVC或#316L不锈钢
加热器：钛、石英或外套聚四氟乙烯加热器
筛检程式：用1微米的聚丙烯滤芯连续过滤
阳极：装在钛蓝或#316L不锈钢蓝中的纯锡球或锡块、纯锡板
备注：阳极蓝必须总是装满阳极，才能有效提供均匀电流分布而保持品质稳定。
六、配槽程序
1）添加去离子水于镀槽中
2）加入LINK</d>26">OTS TAR HS-200 C酸液，搅拌均匀
3）加入LINK</d>28">OTS TAR HS-200锡浓缩液（300g/L），搅拌均匀
4）加入LINK</d>12">OTS TAR HS-200 Ⅰ#添加剂，搅拌均匀
5）加入LINK</d>9">OTS TAR HS-200LINK</d>7">Ⅱ#添加剂，搅拌均匀
6）加入LINK</d>16">OTS TAR HS-200 AO抗氧化剂，搅拌均匀
LINK</d>97">7）添加去离子水至控制液位。
|
|
高速槽液配制
|
LINK</d>10">中速槽液配制
|
低速槽液配制
|
|
|
药品
|
5-30安培/平方分米
|
LINK</d>63">10-15安培/平方分米
|
LINK</d>65">0.5-5安培/平方分米
|
|
|
去离子水
|
570 ml
|
600 LINK</d>31">ml
|
580ml
|
|
|
OTS TAR HS-200锡浓缩液（300 g/LSn2+）
|
217 ml
|
133ml
|
83ml
|
|
|
LINK</d>42">OTS TAR HS-200 C 酸液
|
80 ml
|
130ml
|
235ml
|
|
|
LINK</d>44">OTS TAR HS-200 Ⅰ#添加剂
|
100 ml
|
100ml
|
75ml
|
|
|
LINK</d>46">OTS TAR HS-200 Ⅱ#添加剂
|
5 ml
|
10ml
|
4ml
|
|
|
LINK</d>48">OTS TAR HS-200 AO抗氧化剂
|
10 ml
|
10ml
|
10ml
|
|
|
|
添加去离子水至指定容积
|
|||
|
参数
|
高速操
作范围
|
建议
范围
|
LINK</d>41">中速操
作范围
|
LINK</d>51">建议
范围
|
低速操
作范围
|
建议
范围
|
|
二价锡
|
55-75 g/L
|
65 g/L
|
30-50 LINK</d>78">g/L
|
40 g/L
|
20-30 g/L
|
25 LINK</d>73">g/L
|
|
OTS TAR HS-200 C 酸液
|
175-245 ml/L
|
210 ml/L
|
175-245 LINK</d>66">ml/L
|
210 ml/L
|
270-300 ml/L
|
285ml/L
|
|
OTS TAR HS-200 Ⅰ#添加剂
|
70-130 ml/L
|
100 ml/L
|
70-130 ml/L
|
100 ml/L
|
50-100 ml/L
|
75 ml/L
|
|
OTS TAR HS-200 Ⅱ#添加剂
|
2-8 ml/L
|
5 ml/L
|
5-15 ml/L
|
10 ml/L
|
2-6 ml/L
|
4 ml/L
|
|
OTS TAR HS-200 AO抗氧化剂
|
5-20 ml/L
|
10 ml/L
|
5-20 ml/L
|
10 ml/L
|
5-20 ml/L
|
10 ml/L
|
|
温度
|
45-55℃
|
50℃
|
35-45LINK</d>52">℃
|
40℃
|
25-35℃
|
30℃
|
|
阴极电流密度
|
5-50 A/d㎡
|
按实际 而定
|
LINK</d>67">10-15 A/d㎡
|
LINK</d>61">按实际 而定
|
0.5-5 A/d㎡
|
按实际 而定
|
|
阳极与阴极 面积比
|
至少1:1
|
|||||
|
搅拌
|
LINK</d>59">阴极移动及中速镀液回圈搅拌
|
|||||
|
阴极效率
|
LINK</d>54">95-100%
|
|||||
|
沉积速率
|
在10A/d㎡下每分钟5.0微米
|
LINK</d>56">在5A/d㎡下每分钟2.5微米
|
在1A/d㎡下每分钟 0.5微米
|
|||
注意：
（1）OTS TAR HS-200锡浓缩液（300克/公升）（浓原液）中含有LINK</d>75">OTS TAR HS-200 C酸液，故它们亦对镀液中OTS TAR HS-200酸液浓度构成影响。
（2）在槽液配置前，镀槽及辅助设备均需彻底清洗，并以70-140毫升/公升的OTS TAR HS-200 C酸液作为最后之活化步骤，此步骤对新设备或曾作其他用途的设备，如氟硼酸系统，尤其重要。
附注：
1）在0.5微米厚的镍底层上镀OTS TAR HS-200可有效防止晶须的产生；
2）铅杂质超过100ppm将会产生危害，随着铅含量的增加，高电流密度区域镀层会变得越来越暗，对铅污染的容忍度取决于电流密度的高低，电流密度越低，对铅污染的容忍度越低
3）铅污染来自于镀缸中的锡铅残留物（如果镀缸以前作过他用）或阳极