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“金贵”的第三代半导体材料,封装过程中降低“受损率”至关重要
发布时间:2021-03-29        浏览次数:225        返回列表
       半导体封装是一套非常复杂的流程,支撑起了全球庞大的产业链条,这个链条上的每一环都有着细致的分工和严苛的要求,封装形式和封装技术也非常多,且在不断迭代当中。

    笼统来讲,封装技术就是将集成电路用绝缘的塑料或陶瓷材料打包的技术。

  而集成电路则是将具有一定功能的电路所需的半导体、电阻、电容等元件及布线全部集成在一小块硅片上,再封装在一个管壳内所形成的微型结构。 当今半导体工业大多数应用的都是基于硅(Si)和锗(Ge)的集成电路,硅(Si)和锗(Ge)也就是我们所说的第一代半导体材料。

随着终端市场需求的不断升级,如今半导体材料已经发展到了第三代,第四代也已在研究当中,虽然现在还未得到广泛应用,但对下游产业链的发展有着积极的导向作用
 

 第三代半导体材料的应用难点

  
1.成本高
SiC成本高昂,同等规格的SiC器件比硅器件单个管芯的价格要高3-5倍。尽管SiC在晶圆上的尺寸可以做到很小,平均下来可降低一定的成本,但总体来说还是更贵。
 

2.易碎

  
SiC是一种天然超晶格,十分易碎,制备难度相对较大。虽然目前SiC衬底制造技术已经达到8英寸水平,但要突破更大尺寸的生产,提高生产良率,依然是个难题。


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