日期:2006-08-15 00:00
年来，中、低温CVD法和PCVD法开发成功，改善了原有CVD工艺。PVD法起步晚、发展快、温度低(约300～500℃)，优点很多，但涂层的均匀性不如CVD法，涂层与基体结合不太牢固，涂层硬度比较低，涂层优越性未得到充分体现。PVD法工艺要求比CVD法高，设备更复杂，涂层循环周期长。目前常用的PVD方法有低压电子束蒸发(LVEE)法、阴极电子弧沉积法(CAD)、三极管高压电子束蒸发法(THVEE)、非平衡磁控溅射法(UMS)、离子束协助沉积法(IAD)和动力学离子束混合法(DIM)，其主要差别在于沉积材料的气化方法以及产生等离子体的方法不同而使得成膜速度和膜层质