日期:2012-04-19 10:13
专利号(申请号)：200610015536.6
公开（公告）号：CN101135045
公开( 公告)日：2008-03-05
申请日：2006-08-31
申请（专利权）人：国家纳米技术与工程研究院，北京航空航天大学，深圳微纳超细材料有限公司
页 数：8
摘要：
一种在SiC微颗粒表面磁控溅射镀铜膜的方法，其特征是采用微颗粒磁控溅射镀膜设备，以0.1～500μm的SiC颗粒材料作为基底，纯度为99.999％的铜作为靶材，通过调节超声波的振动功率及样品架的摆动频率，使SiC颗粒在溅射镀膜时能够均匀地分散，再通过改变真空室内的工作气压、溅射功率、温度和溅射时间等工艺条件，在其