日期:2012-03-19 11:02
专利号(申请号)：200880005572.1
公开（公告）号：CN101796224A
公开( 公告)日：2010-08-04
申请日：2008-10-06
申请（专利权）人：日矿金属株式会社
页 数：8
摘要：
一种在半导体晶片上电镀铜中使用的铜阳极或含磷铜阳极，其特征在于，铜阳极或除磷以外的含磷铜阳极的纯度为99.99重量％以上、杂质硅的含量为10重量ppm以下。本发明提供进行电镀铜时能够有效防止在被镀物特别是半导体晶片上粒子附着的电镀铜方法、电镀铜用含磷铜阳极及具有使用它们进行电镀铜而得到的粒子附着少的铜层的半导体晶片。