日期:2012-03-15 17:35
专利号(申请号)：200710166393.3
公开（公告）号：CN101235524
公开( 公告)日：2008-08-06
申请日：2007-11-07
申请（专利权）人：恩伊凯慕凯特股份有限公司
页 数：16
摘要：
本发明涉及由作为半导体芯片的电极的金凹凸或者金布线形成用的非氰系电解金电镀浴液。该电镀浴液可以消除因为钝化膜的断坡产生的表面凹凸，形成在向半导体芯片的基板上实装时可以达到足够的接合强度的金电镀被膜。本发明的金凹凸或者金布线形成用的非氰系电解金电镀浴液，含有以下成分：亚硫酸金碱盐或者亚硫酸金铵作为金量为1～20g/L，水溶性胺为1～30g/L，T1