日期:2012-03-20 17:18
晶胞边界处形成金属Al柱。镀Cu后，多孔Al中金属柱增多，在平行于金属柱方向，电场会驱动更多的电子做功，所以偏振光的P分量的衰减明显增强，而V分量的插入损失随金属柱的增多衰减较少，导致电镀后的多孔Al消光比明显增大，由电镀前的13.6dB增加到电镀后的25.6dB。
另外，表2中的数据还显示，对于未电镀的多孔Al，它的消光比在波长为1.5m时最小，在波长为632.8nm时最大。但实验中发现，波长为632.8nm的HeNe激光器偏振面不稳定，测量误差较大。对于电镀的多孔Al，它的消光比在1500.0nm时最大，超过25dB。
目前，实验测得的消光比还较小，可